2.0KH-ND
Resistencia Axial / 2 kΩ / 1/2 Watt / Tolerancia 5% / Película de Carbón
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TPL COMMUNICATIONS
SKU: B2-160
Transistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc / Alta Eficiencia / VHF-FM
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Descripción
Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia en la banda VHF, con operación optimizada hasta 175 MHz. Proporciona una potencia de salida de 100 W con una relación de ganancia de 6.0 dB, ideal para transmisores FM y amplificadores de potencia RF. Su arquitectura de alta eficiencia energética y características térmicas controladas permiten operación sostenida en condiciones de alta demanda. Las impedancias de entrada y carga están especificadas para facilitar el diseño de redes de adaptación en circuitos de RF profesionales.
Características Generales
- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
- Potencia de salida máxima de 100 W
- Voltaje de colector de 12.5 Vcc
- Diseño robusto para alta eficiencia energética
- Aplicaciones: sistemas de comunicación VHF, transmisores FM, amplificadores de potencia RF
Especificaciones RF
- Frecuencia: 175 MHz
- Potencia de salida: 100 W
- Relación de ganancia: 6.0 dB
- Impedancia entrada: 1.5 - j0.9 Ω
- Impedancia carga: 0.5 - j1.0 Ω
Especificaciones Eléctricas
- Voltaje colector-base (VCBO): 36 V
- Voltaje colector-emisor (VCEO): 18 V
- Voltaje emisor-base (VEBO): 4.0 V
- Corriente de colector (IC): 20 A
- Disipación de potencia: 270 W
Especificaciones Térmicas
- Resistencia térmica (junto-case, RθJC): 0.65 °C/W
- Temperatura de almacenamiento: -65 a +200 °C
Dimensiones
| Peso | 0.01 kg |
|---|---|
| Alto | 1 cm |
| Ancho | 1 cm |
| Largo | 1 cm |
